国内IGBT龙头,斯达半导体迎接新能源汽车爆发红利
时间:2020-07-18 03:07 来源:网络整理 作者:bosi 点击:次
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,注册地在浙江省嘉兴市南湖区,公司主营业务为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发生产,并以IGBT模块形成对外实现销售。公司总部在浙江省嘉兴市,但是在上海和欧洲都有研发中心。2020年2月4日在上海证券交易所上市。
数据来源:广发证券 科普小常识:IGBT是什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 公司主营业务为IGBT 模块 公司2019 年 IGBT 模块的销售收入占主营业务收入的比例在 97%,公司 IGBT 模块产品丰富,种类齐全,覆盖汽车级和工业级应用。 数据来源:广发证券 行业地位:IGBT国内龙头 全球排名第八 据公司年报引用的IHS Markit 数据,2018年全球 IGBT 模块供应商的全球市场份额排名中,公司全球市场份额为 2.2%,全球排名第8位,国内排名第1位,是国内唯一进入世界排名前十的中国企业。
数据来源:广发证券 技术水平领先不断投入研发 公司已自主研发两代 IGBT 芯片,在研的第三代芯片对接国际第七代技术。公司长期致力于 IGBT 芯片的自主研发,分别于 2012 年和 2015 年成功独立地研发出NPT 型芯片和 FS-Trench 芯片,分别对接国际上第四、第六代芯片技术。目前,公司正在进行第三代 IGBT 芯片的研发,对接英飞凌、三菱等国际龙头公司的第七代技术水平。 公司创始人金光闪闪的学历和工作经历 公司创始人为沈华先生和胡畏女士,沈华先生1995 年获得美国麻省理工学院材料学博士学位,1995 年 7 月至 1999 年 7 月任西门子半导体部门高级研发工程师。2005年,沈华回国创建公司。胡畏女士1994 年获美国斯坦福大学工程经济系统硕士学位,1995 年至 2001 年任美国 Providian Financial 公司市场总监等职位,2005 年回国创办公司,现任公司董事兼副总经理。 公司拥有坚固的护城河:IGBT行业技术壁垒极高 公司优势显著 IGBT模块不但具有芯片和封装双重技术门槛,还具有极高的行业认证门槛。相比于国内同行,公司已经跨越了芯片和模块封装技术门槛,芯片自给率超50%,下游大客户认可度高;公司在响应速度、产品交期和产品成本都具有优势。 先入者为王,公司竞争优势显著。国内IGBT龙头,先发优势明显。IGBT模块不仅应用广泛,且是下游产品中的核心器件,一旦出现问题会导致产品无法使用,替代成本较高,因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购。斯达是国内 IGBT 的领军企业,国内其他企业进入 IGBT 模块市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难。随着公司生产规模的扩大,自主芯片的批量导入,公司在供货稳定性上的优势会进一步巩固,从而提高潜在竞争对手进入壁垒,先发优势明显。 营业收入快速增长 2015-2019年复合增速32.6%
2015 年至 2019 年,公司营业收入稳步增长,从 2.52 亿元增长至 7.79 亿元,复合增速高达 32.60%。 (责任编辑:admin) |